參數(shù)資料
型號： M27W201-80NZ6TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
中文描述： 2兆位的256Kb × 8低壓紫外線可擦寫可編程只讀存儲器和OTP存儲器
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大?。?/td> 170K
代理商： M27W201-80NZ6TR
M27W201
6/16
Figure 5. Read Mode AC Waveforms
AI00719B
tAXQX
tEHQZ
A0-A17
E
G
Q0-Q7
tAVQV
tGHQZ
tGLQV
tELQV
VALID
Hi-Z
VALID
Table 8. Read Mode AC Characteristics
(1)
(T
A
= –40 to 85 °C; V
CC
= 2.7V to 3.6V; V
PP
= V
CC
)
Note: 1. V
CC
must be applied simultaneously with or before V
PP
and removed simultaneously or after V
PP
.
2. Sampled only, not 100% tested.
3. Speed obtained with High Speed AC measurement conditions.
Symbol
Alt
Parameter
Test
Condition
M27W201
Unit
-80
(3)
-100
(-120/-150/-200)
V
CC
= 3.0V to 3.6V V
CC
= 2.7V to 3.6V V
CC
= 2.7V to 3.6V
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to
Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
70
80
100
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to
Output Valid
G = V
IL
70
80
100
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low
to Output Valid
E = V
IL
40
50
60
ns
t
EHQZ(2)
t
DF
Chip Enable High to
Output Hi-Z
G = V
IL
0
40
0
50
0
60
ns
t
GHQZ(2)
t
DF
Output Enable High
to Output Hi-Z
E = V
IL
0
40
0
50
0
60
ns
t
AXQX
t
OH
Address Transition
to Output Transition
E = V
IL
,
G = V
IL
0
0
0
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M27W201-100N6TR 2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W201-100K6TR Test Spring Probe; Current Rating:3A; Leaded Process Compatible:Yes; Length:0.060"; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Tip/Nozzle Style:90 Concave RoHS Compliant: Yes
M27W201-100F6TR 2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W201-100B6TR 2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W201-200NZ6TR 2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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