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參數(shù)資料
| 型號： | M1A3PE3000-1PQG208 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 93/162頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 3M 208-PQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 24 |
| 系列： | ProASIC3E |
| RAM 位總計(jì)： | 516096 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 147 |
| 門數(shù)： | 3000000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 208-BFQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 208-PQFP（28x28） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁當(dāng)前第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁
ProASIC3E DC and Switching Characteristics
2-22
Revision 13
The length of time an I/O can withstand IOSH/IOSL events depends on the junction temperature. The
reliability data below is based on a 3.3 V, 36 mA I/O setting, which is the worst case for this type of
analysis.
For example, at 100°C, the short current condition would have to be sustained for more than six months
to cause a reliability concern. The I/O design does not contain any short circuit protection, but such
protection would only be needed in extremely prolonged stress conditions.
Table 2-21 I/O Short Currents IOSH/IOSL
Drive Strength
IOSH (mA)*
IOSL (mA)*
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
4 mA
25
27
8 mA
51
54
12 mA
103
109
16 mA
132
127
24 mA
268
181
3.3 V LVCMOS Wide Range
100 A
Same as regular
3.3 V LVCMOS
Same as regular
3.3 V LVCMOS
2.5 V LVCMOS
4 mA
16
18
8 mA
32
37
12 mA
65
74
16 mA
83
87
24 mA
169
124
1.8 V LVCMOS
2 mA
9
11
4 mA
17
22
6 mA
35
44
8 mA
45
51
12 mA
91
74
16 mA
91
74
1.5 V LVCMOS
2 mA
13
16
4 mA
25
33
6 mA
32
39
8 mA
66
55
12 mA
66
55
Notes:
1. TJ = 100°C
2. Applicable to 3.3 V LVCMOS Wide Range. IOSL/IOSH dependent on the I/O buffer drive strength
selected for wide range applications. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide
range as specified in the JESD8b specification.
Table 2-22 Duration of Short Circuit Event Before Failure
Temperature
Time before Failure
–40°C
> 20 years
0°C
> 20 years
25°C
> 20 years
70°C
5 years
85°C
2 years
100°C
6 months
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A3PE3000-1PQG208 | IC FPGA 1KB FLASH 3M 208-PQFP |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| M1A3PE3000-1PQG208I | 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 3M 208-PQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3E 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:ProASICPLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):129024 輸入/輸出數(shù):248 門數(shù):600000 電源電壓:2.3 V ~ 2.7 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:- 封裝/外殼:352-BFCQFP，帶拉桿 供應(yīng)商設(shè)備封裝:352-CQFP（75x75） |
| M1A3PE3000-1PQG896 | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:ProASIC3E Flash Family FPGAs |
| M1A3PE3000-1PQG896ES | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:ProASIC3E Flash Family FPGAs |
| M1A3PE3000-1PQG896I | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:ProASIC3E Flash Family FPGAs |
| M1A3PE3000-1PQG896PP | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:ProASIC3E Flash Family FPGAs |
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