參數(shù)資料
型號(hào)： LZ402
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
中文描述： 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 36K
代理商： LZ402
polyfet rf devices
LZ402
12
Single Ended
LZ
100.0
8.0
160.0
0.75 C/W
65
5.4
34.00
2.0
60
0.17
16.00
13.5
230
0.30
70
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
TEST CONDITIONS
Common Source Power Gain
Drain Efficiency
Total
Device
Dissipation
Junction to
Case Thermal
Resistance
Maximum
Junction
Temperature
Storage
Temperature
DC Drain
Current
Drain to
Source
Voltage
Gate to
Source
Voltage
-65 C to 150 C
200 C
A
V
Load Mismatch Tolerance
VSWR
Drain to
Gate
Voltage
20:1
Relative
0.60
0.50
Ids =
mA, Vgs = 0V
V, Vgs = 0V
Ciss
Crss
Coss
Vds =
Idq =
A, Vds = V, F =
0.60
Bvdss
Idss
Drain Breakdown Voltage
V
mA
pF
pF
pF
Common Source Output Capacitance
Common Source Feedback Capacitance
Idq =
Idq = 0.60
500
Vgs = 20V, Ids =
Rdson
Saturation Resistance
Forward Transconductance
gM
Vds = 10V, Vgs = 5V
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
500
500
Common Source Input Capacitance
70
V
20
Igss
Vgs
Idsat
Zero Bias Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Bias for Drain Current
Saturation Current
1
7
uA
V
Mho
Ohm
Amp
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
TEST CONDITIONS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( EACH SIDE )
RF CHARACTERISTICS ( 125.0
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( T =
Gps
A, Vds = V, F =
A, Vds = V, F =
Watts
V
1
MHz
MHz
MHz
Watts
Package Style
125.0
Vds = 0V Vgs = 30V
Vgs = 20V, Vds = 10V
HIGH EFFICIENCY, LINEAR
HIGH GAIN, LOW NOISE
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS
transistors designed specifically
for broadband RF applications.
Suitable for Militry Radios,
Cellular and Paging Amplifier Base
Stations, Broadcast FM/AM, MRI,
Laser Driver and others.
28.0
Vds =
A, Vgs = Vds
Ids =
A
η
dB
%
o
o
o
"Polyfet" process features
low feedback and output capacitances
resulting in high F transistors with high
input impedance and high efficiency.
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE
RF POWER
TRANSISTOR
LDMOS
Vgs = 0V, F = 1 MHz
28.0
Vds =
Vgs = 0V, F = 1 MHz
28.0
Vds =
Vgs = 0V, F = 1 MHz
28.0
REVISION 04/27/2001
25 C )
WATTS OUTPUT )
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LZY-1 High Power Amplifier 50ヘ 50W 20 to 512 MHz
M-8870 DTMF Receiver
M-8870-01 DTMF Receiver
M-8870-01SM DTMF Receiver
M-8870-01SMTR CONNECTOR
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參數(shù)描述
LZ4-04MDC9-0000 制造商:LedEngin 功能描述:RGBW,LZ4,Flat Lens,No MCPCB 制造商:LED Engin Inc 功能描述:
LZ4-04MDCA-0000 功能描述:LED Lighting Color - Red, Green, Blue, White - Cool (RGBW) 624nm Red, 525nm Green, 457nm Blue, 6500K White 8-SMD, No Lead Exposed Pad 制造商:led engin inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 顏色:紅，綠，藍(lán)，白 - 冷色（RGBW） 波長(zhǎng):624nm 紅，525nm 綠，457nm 藍(lán)，6500K 白 電流 - 測(cè)試:700mA 紅，700mA 綠，700mA 藍(lán)，700mA 白 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.5V 紅，3.6V 綠，3.2V 藍(lán)，3.2V 白 電流 - 最大值:1.5A 紅，1.5A 綠，1.5A 藍(lán)，1.5A 白 通量 @ 電流/溫度 -測(cè)試:62 lm 紅，133 lm 綠，24 lm 藍(lán)，183nm 白 溫度 - 測(cè)試:25°C 視角:110° 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，無引線裸焊盤 不同測(cè)試電流時(shí)的流明/瓦:35 lm/W 紅，53 lm/W 綠，11 lm/W 綠，82 lm/W 封裝熱阻:1.1°C/W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
LZ4-04MDPB
LZ4-04MDPB-0000 功能描述:LED Lighting Color LuxiGen? Red, Green, Blue, White - Cool (RGBW) 624nm Red, 525nm Green, 454nm Blue, 6500K White 8-SMD, No Lead Exposed Pad 制造商:led engin inc. 系列:LuxiGen? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 顏色:紅，綠，藍(lán)，白 - 冷色（RGBW） 波長(zhǎng):624nm 紅，525nm 綠，454nm 藍(lán)，6500K 白 電流 - 測(cè)試:1A 紅，1A 綠，1A 藍(lán)，1A 白 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.3V 紅，3.55V 綠，3.2V 藍(lán)，3.2V 白 電流 - 最大值:2.5A 紅，3A 綠，3A 藍(lán)，3A 白 通量 @ 電流/溫度 -測(cè)試:115 lm 紅，220 lm 綠，1250mW 藍(lán)，298 lm 白 溫度 - 測(cè)試:25°C 視角:110° 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，無引線裸焊盤 不同測(cè)試電流時(shí)的流明/瓦:50 lm/W 紅，62 lm/W 綠，93 lm/W 白 封裝熱阻:0.9°C/W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
LZ4-04UV00-0000 功能描述:Ultraviolet (UV) Emitter 365nm 15.2V 1A 110° 8-SMD, No Lead Exposed Pad 制造商:led engin inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:UV 電流 - DC 正向（If）:1A 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:- 波長(zhǎng):365nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:15.2V 視角:110° 朝向:頂視圖 工作溫度:130°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，無引線裸焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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