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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LXE16350X |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | CON-THT OTHER 14 PIN R/A |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | LXE16350X |
1997 Feb 19
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LXE16350X
Fig.6 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V.
(1) I
CQ
= 300 mA.
(2) I
CQ
= 100 mA.
(3) I
CQ
= 10 mA.
handbook, halfpage
PL
(W)
0
10
20
30
0
2
4
Pi (W)
6
MRA440
(1)
(2)
(3)
Fig.7
Intermodulation distortion as a function of
average output power.
V
CE
= 24 V.
f
1
= 1.65 GHz
f
2
= 1.6502 GHz.
(1) I
CQ
= 10 mA.
(2) I
CQ
= 100 mA.
(3) I
CQ
= 300 mA.
handbook, halfpage
45
35
25
0
10
(1)
(2)
(3)
20
Po (W)
dim
(dBc)
30
MRA439
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