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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LX703 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | LX703 |
L1B 3 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
100
0
2
4
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L1B 3DIE CAP ACIT ANCE
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
LX 703 P OUT VS P IN Freq= 500MHz, VDS = 28V, Idq= .6A
38
40
42
44
46
48
50
52
23
25
27
29
31
33
35
37
39
P I N I N d B m
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
Pout
Gain
Efficiency = 60%
1dB compresion = 100W
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
S11 & S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
LX703
L1B 3 DIE IV
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/08/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
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PDF描述 |
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