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參數資料
| 型號： | LTE42005S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | LTE42005S |
1997 Feb 21
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42005S
Table 1
Scattering parameters: V
CE
= 18 V; I
C
= 110 mA (V
CE
and I
C
regulated); T
mb
= 25
°
C; Z
o
= 50
; typical
values. (The figures given between brackets are values in dB).
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
176
180
177
174
171
168
165
163
160
162
157
155
154
151
148
143
138
134
129
122
113
104
99
92
83
69
54
28
36
86
114
137
152
161
168
179
MAGNITUDE
(ratio)
0.022 (
33.2)
0.023 (
32.8)
0.023 (
32.8)
0.024 (
32.5)
0.024 (
32.3)
0.026 (
31.8)
0.028 (
31.0)
0.031 (
30.1)
0.035 (
29.2)
0.037 (
28.5)
0.041 (
27.8)
0.045 (
27.0)
0.047 (
26.5)
0.049 (
26.1)
0.050 (
25.9)
0.051 (
25.9)
0.058 (
24.7)
0.067 (
23.5
0.077 (
22.3)
0.082 (
21.7)
0.086 (
21.3)
0.093 (
20.6)
0.102 (
19.8)
0.113 (
18.9)
0.119 (
18.5)
0.137 (
17.3)
0.165 (
15.7)
0.202 (
13.9)
0.206 (
13.7)
0.195 (
14.2)
0.177 (
15.0)
0.164 (
15.7
0.154 (
16.2)
0.134 (
17.4)
0.122 (
18.2)
0.105 (
19.6)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
62
66
71
75
79
83
87
90
95
98
101
104
107
110
114
116
124
129
134
138
143
150
157
163
170
179
171
172
174
171
174
180
174
166
160
154
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
3400
3600
3800
4000
4200
4400
4600
4800
5000
5200
5400
5600
5800
6000
0.76
0.75
0.76
0.76
0.76
0.75
0.75
0.74
0.75
0.74
0.73
0.73
0.71
0.70
0.69
0.68
0.67
0.65
0.62
0.57
0.52
0.49
0.45
0.38
0.29
0.24
0.20
0.15
0.12
0.17
0.24
0.31
0.41
0.48
0.53
0.56
37
37
40
41
42
43
43
43
43
44
46
46
44
43
42
39
36
34
31
25
21
16
13
8
6
2
5
20
38
52
65
73
83
90
97
104
8.13 (18.2)
6.95 (16.8)
5.95 (15.5)
5.25 (14.4)
4.69 (13.4)
4.23 (12.5)
3.88 (11.8)
3.61 (11.2)
3.36 (10.5)
3.12 (9.9)
2.95 (9.4)
2.83 (9.0)
2.70 (8.6)
2.56 (8.2)
2.44 (7.7)
2.34 (7.4)
2.16 (6.7)
2.02(6.1)
1.95 (5.8)
1.84 (5.3)
1.78 (5.0)
1.67 (4.5)
1.62 (4.2)
1.52 (3.6)
1.43 (3.1)
1.27 (2.1)
1.08 (0.7)
0.92 (0.8
0.93 (0.6)
0.97 (
0.3)
0.97 (
0.3)
0.93 (
0.6)
0.88 (
1.1)
0.81 (
1.8)
0.77 (
2.3)
0.70 (
3.1)
85
78
73
67
62
57
53
49
44
41
37
32
28
23
19
14
0.35
0.34
0.34
0.35
0.35
0.36
0.37
0.39
0.40
0.43
0.43
0.45
0.47
0.48
0.50
0.51
0.55
0.59
0.64
0.68
0.72
0.74
0.80
0.80
0.82
0.80
0.68
0.51
0.52
0.63
0.73
0.79
0.83
0.85
0.87
0.89
4
2
12
21
32
42
52
64
76
88
98
100
102
110
122
133
145
156
167
178
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTE42008R | NPN microwave power transistor |
| LTE42012R | NPN microwave power transistor |
| LTL2300HR | Optoelectronic |
| LTL2600HR | Optoelectronic |
| LTL2655HR | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LTE42008R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| LTE42012R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| LTE4206 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SELECTED TO SPECIFIC ON-LINE INTENSITY AND RADIANT INTENSITY RANGES |
| LTE-4206 | 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| LTE-4206_1 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
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