參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1644
廠商： Linear Technology Corporation
元件分類： 基準(zhǔn)電壓源/電流源
英文描述： CompactPCI Bus Hot Swap Controller
中文描述： CompactPCI總線熱插拔控制器
文件頁(yè)數(shù)： 18/24頁(yè)
文件大?。?/td> 452K
代理商： LTC1644
LTC1644
18
1644f
APPLICATIU
W
U
U
OFF/ON
5V
IN
5V
IN
5
13
LTC1644*
1644 F10
R13
10
5%
R14
10
5%
I/O
I/O
PCI
BRIDGE
CHIP
UP TO 128 I/O LINES
DATA BUS
3V
IN
GND
PRECHARGE
12
DRIVE
11
Q1
MMBT2222A
PRECHARGE OUT
1V
±
10%
I
OUT
=
±
55mA
8
R11
10k
5%
R12
10k
5%
R10
18
5%
Q2
MMBT3906
R24
75k
5%
R19
1k 5%
R20
1.2k
5%
R22 2.74
R23
51k 5%
R8
1k 5%
R7
12
5%
C3 4.7nF
R9
24
Z4: 1PMT5.0AT3
*ADDITIONAL PINS OMITTED FOR CLARITY
PCB EDGE
BACKPLANE
CONNECTOR
BACKPLANE
CONNECTOR
5V
LONG 5V
BD_SEL#
GROUND
I/O PIN 1
I/O PIN 128
Z4
C7
0.01
μ
F
C9 0.1
μ
F
PER 10
POWER PINS
BUS SWITCH
OE
Figure 10. Precharge Circuit with Bus Switch
MMBT2222A
C3 4.7nF
R9
18
R10A
PRECHARGE OUT
R10B
R8
1k
R7
12
3V
IN
1644 F08
GND
PRECHARGE DRIVE
12
LTC1644*
8
11
*ADDITIONAL DETAILS OMITTED FOR CLARITY
V
PRECHARGE
=
1V
R10A
R10A + R10B
Figure 8. Precharge Voltage <1V Application Circuit
Figure 9. Precharge Voltage >1V Application Circuit
MMBT2222A
C3 4.7nF
R9
18
R10A
R10B
PRECHARGE OUT
R10A + R10B
R10A
R8
1k
R7
12
3V
IN
1644 F09
GND
PRECHARGE
DRIVE
LTC1644*
8
12
11
*ADDITIONAL DETAILS OMITTED FOR CLARITY
V
PRECHARGE
=
1V
(3) the gate-source (V
GS
) voltage drive for the specified
R
DS(ON)
. Power MOSFET power dissipation is dependent
on four parameters: current delivered to the load, I
LOAD
;
device R
DS(ON)
; device thermal resistance, junction-to-
ambient,
θ
JA
; and the maximum ambient temperature to
which the circuit will be exposed, T
A(MAX)
. All four of these
parameters determine the junction temperature of the
MOSFET. For reliable circuit operation, the maximum
junction temperature (T
J(MAX)
) for a power MOSFET should
not exceed the manufacturer’s recommended value. For a
given set of conditions, the junction temperature of a
power MOSFET is given by Equation 9:
MOSFET Junction Temperature,
T
J(MAX)
≤
T
A(MAX)
+
θ
JA
P
D
where P
D
= I
LOAD
R
DS(ON)
PCB layout techniques for optimal thermal management
of power MOSFET power dissipation help to keep device
θ
JA
as low as possible. See PCB Layout Considerations
section for more information.
The R
DS(ON)
of the external pass transistor should be low
to make its drain-source voltage (V
DS
) a small percentage
of 3V
IN
or 5V
IN
. For example, at 3V
IN
= 3.3V, V
DS
+ V
CB
=
0.1V yields a 3% error at maximum load current. This
(9)
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