參數(shù)資料
型號： LT135
廠商： Sharp Corporation
英文描述： Hall Voltage 240mV GaAs Hall Device
中文描述： 霍爾電壓240mV砷化鎵霍爾器件
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 22K
代理商： LT135
Fig. 1 Hall Voltage vs. Ambient
Temperature
Fig. 2 Input Resistance vs. Ambient
Temperature
2 000
Fig. 6 Power Dissipation vs. Ambient
Temperature
200
Fig. 5 Hall Voltage vs. Control Voltage
Fig. 3 Hall Voltage vs. Magnetic Flux
Density
Fig. 4 Hall Voltage vs. Control Current
LT135A
Hall Device
V
C
=6V
T
a
=25C
00
500
400
100
Magnetic flux density B (mT)
200
300
600
1 600
1 400
1 000
1 200
600
400
800
200
H
H
(
B=100mT
T
a
=25C
00
8
4
12
600
400
300
200
100
H
H
(
Control current I
C
(mA)
B=100mT
020
0
Ambient temperature T
a
(C)
80
40
120
300
250
200
150
100
50
H
H
(
V
C
=6V
I
C
=6mA
00
80
40
120
160
200
160
120
80
40
P
D
(
Ambient temperature T
a
(C)
B=0mT
I
M
=1mA
020
0
80
40
120
1 600
1 200
800
400
I
I
(
)
Ambient temperature T
a
(C)
B=100mT
T
a
=25C
00
8
10
2
4
6
12
600
400
500
200
300
100
H
H
(
Control voltage V
C
(V)
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