參數(shù)資料
型號(hào)： LT1162CSW
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
中文描述： 1.5 A FULL BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOP-24
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 347K
代理商： LT1162CSW
5
LT1160/LT1162
TYPICAL PERFOR
M
A
CE CHARACTERISTICS
U
TEMPERATURE (
°
C)
–50
B
100
230
210
190
170
150
130
110
90
70
50
1160/62 G10
0
–25
25
50
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
C
LOAD
= 1000pF
V
+
= 12V
Bottom Gate Rise Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
B
100
210
190
170
150
130
110
90
70
50
30
1160/62 G11
0
–25
25
50
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
V
+
= 12V
C
LOAD
= 1000pF
Bottom Gate Fall Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
1160/62 G12
0
–25
25
50
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
V
+
= 12V
C
LOAD
= 1000pF
Top Gate Rise Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
11160/62 G13
0
50
180
160
140
120
100
80
60
40
20
–25
25
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
V
+
= 12V
C
LOAD
= 1000pF
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G15
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Turn-On Delay Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G14
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Turn-Off Delay Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
L
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G16
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Lockout Delay Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
R
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G17
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Release Delay Time
vs Temperature
(LT1160 or 1/2 LT1162)
Top Gate Fall Time
vs Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LT1162IN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1162ISW Dual 1-of-4 Data Selectors/Multiplexers With 3-State Outputs 16-SOIC 0 to 70
LT1160CS TRANS PNP LF 400VCEO .1A TO-126
LT1160IN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
LT1160IS Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
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參數(shù)描述
LT1162CSW#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LT1162CSW#TR 功能描述:IC DRIVER MOSF N-CH DUAL 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1162CSW#TRPBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1162IN 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 24-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
LT1162IN#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
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