型號(hào): | LT1161ISW |
廠商: | LINEAR TECHNOLOGY CORP |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | Quad Protected High-Side MOSFET Driver |
中文描述: | 4 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO20 |
封裝: | 0.300 INCH, PLASTIC, SOL-20 |
文件頁(yè)數(shù): | 11/12頁(yè) |
文件大?。?/td> | 182K |
代理商: | LT1161ISW |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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LT1167AC | TRANS NPN 50VCEO 1A TO-92L |
LT1167IN8 | Precision Instrumentation Amplifier |
LT1167IS8 | Precision Instrumentation Amplifier |
LT1167 | Precision Instrumentation Amplifier |
LT1167ACN8 | TRANS NPN 50VCEO 1A TO-92L |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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LT1161ISW#PBF | 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH QUAD20SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
LT1161ISW#PBF | 制造商:Linear Technology 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH SIDE SOIC-20 |
LT1161ISW#TR | 功能描述:IC DVR MOSFET N-CH QUAD 20-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
LT1161ISW#TRPBF | 功能描述:IC MOSFET DRIVER NCH QUAD 20SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
LT1161ISWPBF | 制造商:Linear Technology 功能描述:MOSFET Driver Quad Protected SOIC20W |