參數(shù)資料
型號： LT1160IS
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： MOSFETs
英文描述： Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
中文描述： 1.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO14
封裝： 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-14
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 347K
代理商： LT1160IS
5
LT1160/LT1162
TYPICAL PERFOR
M
A
CE CHARACTERISTICS
U
TEMPERATURE (
°
C)
–50
B
100
230
210
190
170
150
130
110
90
70
50
1160/62 G10
0
–25
25
50
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
C
LOAD
= 1000pF
V
+
= 12V
Bottom Gate Rise Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
B
100
210
190
170
150
130
110
90
70
50
30
1160/62 G11
0
–25
25
50
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
V
+
= 12V
C
LOAD
= 1000pF
Bottom Gate Fall Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
1160/62 G12
0
–25
25
50
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
V
+
= 12V
C
LOAD
= 1000pF
Top Gate Rise Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
11160/62 G13
0
50
180
160
140
120
100
80
60
40
20
–25
25
75
125
C
LOAD
= 10000pF
C
LOAD
= 3000pF
V
+
= 12V
C
LOAD
= 1000pF
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G15
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Turn-On Delay Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
T
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G14
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Turn-Off Delay Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
L
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G16
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Lockout Delay Time
vs Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
–50
R
100
400
350
300
250
200
150
100
1160/62 G17
0
–25
25
50
75
125
BOTTOM DRIVER
TOP DRIVER
V
+
= 12V
C
LOAD
= 3000pF
Release Delay Time
vs Temperature
(LT1160 or 1/2 LT1162)
Top Gate Fall Time
vs Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LT1161CSW Quad Protected High-Side MOSFET Driver
LT1161ISW Quad Protected High-Side MOSFET Driver
LT1167AC TRANS NPN 50VCEO 1A TO-92L
LT1167IN8 Precision Instrumentation Amplifier
LT1167IS8 Precision Instrumentation Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LT1160IS#PBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160IS#TR 功能描述:IC DRIVER PWR MOSFET N-CH 14SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1160IS#TRPBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1161 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:Quad Protected High-Side MOSFET Driver
LT1161_06 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:Quad Protected High-Side MOSFET Driver
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*