參數(shù)資料
型號： LT1158C
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
中文描述： 半橋N溝道功率MOSFET驅動器
文件頁數(shù)： 18/20頁
文件大小： 426K
代理商： LT1158C
LT1158
18
Figure 15. High Efficiency 6-Cell NiCd Protected Motor Drive
BAT85
LT1158 F15
0.01
μ
F
15
START CURRENT
= 25A MINIMUM
15
0.1
μ
F
Q2
Q1, Q2: IRLZ44 (LOGIC-LEVEL)
R
: DALE TYPE LVR-3
ULTRONIX RCS01
1k
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BOOST
T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE
SENSE
+
SENSE
–
V
+
B GATE DR
BOOST DR
V
+
BIAS
ENABLE
FAULT
INPUT
GND
B GATE FB
LT1158
R
0.015
1N4148
+
–
Q1
STOP
(FREE RUN)
PWM
100
μ
F
+
7.2V
NOMINAL
+
10
μ
F
+
1
μ
F
Μ
POSITION FEEDBACK
CONTROLS LT1158
ENABLE INPUTS
φ
A
5V
1158 F16
ENABLE
FAULT
INPUT
LT1158
V
+
ENABLE
FAULT
INPUT
LT1158
V
+
ENABLE
FAULT
INPUT
LT1158
V
+
φ
B
φ
C
SHUTDOWN
PWM CONTROLS
LT1158 INPUTS
COMMUTATING LOGIC
Figure 16. 3-Phase Brushless DC Motor Control
TYPICAL APPLICATIO
N
S
相關PDF資料
PDF描述
LT1158CN Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
LT1158CS Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
LT1158I Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
LT1158IS Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
LT1160CN Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
LT1158CN 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1158CN#PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LT1158CS 制造商:Linear Technology 功能描述: 制造商:LINEAR_TECH 功能描述:
LT1158CSW 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LT1158CSW#PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH16SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
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