參數(shù)資料
型號(hào)： LS4448
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diodes
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 56K
代理商： LS4448
LS4148.LS4448
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
2 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85561
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=5mA
I
F
=50mA
I
F
=100mA
V
R
=20V
V
R
=20V, T
j
=150 C
V
R
=75V
I
R
=100 A, t
p
/T=0.01,
t
p
=0.3ms
V
R
=0, f=1MHz, V
HF
=50mV
V
HF
=2V, f=100MHz
I
F
=I
R
=10mA, i
R
=1mA
I
F
=10mA, V
R
=6V, i
R
=0.1xI
R
,
R
L
=100
Type
LS4448
LS4148
LS4448
Symbol
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
V
(BR)
Min
0.62
Typ
Max
0.72
1
1
25
50
5
Unit
V
V
V
nA
A
A
V
0.86
0.93
Reverse current
Breakdown voltage
100
Diode capacitance
Rectification efficiency
Reverse recovery time
C
D
4
pF
%
ns
ns
r
45
t
rr
t
rr
8
4
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
2.0
94 9096
LL 4148
Scattering Limit
T
j
=25
°
C
Figure 1. Forward Current vs. Forward Voltage
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
2.0
94 9097
LL 4448
Scattering Limit
T
j
=25
°
C
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LS485S Silicon Epitaxial Planar Diodes
LS509 Class A Amplifier with 3 Gain Blocks & Schottky Diodes
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LS509PLID Analog IC
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參數(shù)描述
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LS4448_ R2 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
LS4448GS08 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100V Io/150mA 2.0 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
LS4448-GS08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Small Signal Diode, (1N4448) SOD-80 QuadroMELF
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