參數(shù)資料
型號： LQ821
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
中文描述： 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： LQ821
L2C 1 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
100
0
2
4
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L2C1DIE CAP ACIT ANCE
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
LQ821 P OUT VS P IN F = 500MHZ , VDS = 12.5V,Idq= .4A
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
P IN IN WAT T S
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
20.00
POUT
GAIN
Efficiency=55%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
LQ821
L2C 1 DIE IV
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
12
14
16
18
20
VDS I10
Vg=6v
I
vg=2v
Vg=4v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 04/27/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
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