參數(shù)資料
型號(hào)： LQ801
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
中文描述： 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 35K
代理商： LQ801
L2B 1 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L2B 1 DIE CAP ACIT ANCE
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
LQ01 P OUT vs P IN F = 1000 MHZ; IDQ= 0.8A; VDS = 28V
10
15
20
25
30
35
40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
P IN IN WAT T S
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
POUT
GAIN
Efficiency = 55%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
LQ801
L2A 1 DICE IV
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 04/27/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LQ821 SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
LQH2MCN100K02 20mA LED Driver and OLED Driver with Integrated Schottky in 3mm x 2mm DFN
LQH2MCN150K02 20mA LED Driver and OLED Driver with Integrated Schottky in 3mm x 2mm DFN
LQH32CN100K53 20mA LED Driver and OLED Driver with Integrated Schottky in 3mm x 2mm DFN
LQH32CN150K53 20mA LED Driver and OLED Driver with Integrated Schottky in 3mm x 2mm DFN
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參數(shù)描述
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LQ9D161 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:DEVICE SPECIFICATION FOR TFT-LCD module
LQ9D340 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Color TFT-LCD Module for Measuring instruments/Banking terminals
LQA03TC600 功能描述:整流器 Q-Series 600V 3A Ultra Low Qrr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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