參數(shù)資料
型號(hào)： LPC1345FHN33,551
廠商： NXP Semiconductors
文件頁(yè)數(shù)： 47/77頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU 32BIT ARM 32KB FLASH 32HVQFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 260
系列： LPC13xx
核心處理器： ARM? Cortex?-M3
芯體尺寸： 32-位
速度： 72MHz
連通性： I²C，Microwire，SPI，SSI，SSP，UART/USART，USB
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，WDT
輸入/輸出數(shù)： 26
程序存儲(chǔ)器容量： 32KB（32K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大小： 2K x 8
RAM 容量： 10K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 32-VQFN 裸露焊盤(pán)
包裝： 托盤(pán)
LPC1315_16_17_45_46_47
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Product data sheet
Rev. 3 — 20 September 2012
51 of 77
NXP Semiconductors
LPC1315/16/17/45/46/47
32-bit ARM Cortex-M3 microcontroller
10. Dynamic characteristics
10.1 Flash/EEPROM memory
[1]
Number of program/erase cycles.
[2]
Programming times are given for writing 256 bytes from RAM to the flash. Data must be written to the flash
in blocks of 256 bytes.
10.2 External clock
[1]
Parameters are valid over operating temperature range unless otherwise specified.
[2]
Typical ratings are not guaranteed. The values listed are at room temperature (25
C), nominal supply
voltages.
Table 9.
Flash characteristics
Tamb = 40 C to +85 C, unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Nendu
endurance
[1] 10000
100000
-
cycles
tret
retention time
powered
10
-
years
unpowered
20
-
years
ter
erase time
sector or multiple
consecutive sectors
95
100
105
ms
tprog
programming time
[2] 0.95
1
1.05
ms
Table 10.
EEPROM characteristics
Tamb = 40 Cto+85 C; VDD = 2.7 V to 3.6 V.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
fclk
clock frequency
200
375
400
kHz
Nendu
endurance
100000
1000000
-
cycles
tret
retention time
powered
100
200
-
years
unpowered
150
300
-
years
ter
erase time
64 bytes
-
1.8
-
ms
tprog
programming
time
64 bytes
-
1.1
-
ms
Table 11.
Dynamic characteristic: external clock
Tamb = 40 C to +85 C; VDD over specified ranges.[1]
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ[2]
Max
Unit
fosc
oscillator frequency
1
-
25
MHz
Tcy(clk)
clock cycle time
40
-
1000
ns
tCHCX
clock HIGH time
Tcy(clk) 0.4
-
ns
tCLCX
clock LOW time
Tcy(clk) 0.4
-
ns
tCLCH
clock rise time
-
5
ns
tCHCL
clock fall time
-
5
ns
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