型號(hào): | LP821 |
廠商: | Polyfet RF Devices |
英文描述: | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
中文描述: | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大小: | 35K |
代理商: | LP821 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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LP87C51FC | CHMOS SINGLE-CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER |
LP87C51FC-20 | CHMOS SINGLE-CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER |
LP87C54 | CHMOS SINGLE-CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER WITH 16 KBYTES USER PROGRAMMABLE EPROM |
LP87C54-20 | CHMOS SINGLE-CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER WITH 16 KBYTES USER PROGRAMMABLE EPROM |
LPC1111FHN33 | Cortex-M0, 8 kB flash, up to 4 kB SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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LP821M063A1P3 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 820UF 63V SNAP-MOUNT RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
LP821M100E1P3 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 820uF 100V SNAPMOUNT RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
LP821M200H3P3 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 820uF 200V (D X L) 35mm x 30mm RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
LP821M200H7P3 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 820uF 200V ALUMEL RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |
LP821M250H7P3 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 820uF 250V (D X L) 35mm x 40mm RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長(zhǎng)度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors |