參數(shù)資料
型號: LNA2701L(LN159)
英文描述: LNA2701L (LN159) - GaAs Bi-directional Infrared Light Emitting Diode
中文描述: LNA2701L(LN159) -砷化鎵雙向紅外線發(fā)光二極管
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 313K
代理商: LNA2701L(LN159)
2
Infrared Light Emitting Diodes
LNA2701L
I
F
— Ta
60
50
40
30
20
10
Ambient temperature Ta (C )
A
I
F
0
20
40
60
80
100
0
– 25
I
FP
— Duty cycle
10
2
10
1
10
–1
Duty cycle (%)
P
F
1
10
10
2
10
–2
10
–1
t
= 10
μ
s
Ta = 25C
I
F
— V
F
80
70
60
50
40
20
10
30
0
Forward voltage V
F
(V)
Ta = 25C
F
I
F
0
0.4
0.8
1.2
1.6
10
2
10
1
10
–1
10
10
2
10
3
10
–2
1
I
e
— I
FP
Pulse forward current I
FP
(mA)
R
I
e
(1) t
= 10
μ
s
f = 100Hz
(2) DC
Ta = 25C
V
F
— Ta
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Ambient temperature Ta (C )
F
F
0
40
80
120
I
F
= 50mA
10mA
1mA
10
I
e
— Ta
10
3
10
2
Ambient temperature Ta (C )
R
I
e
– 25
20
60
0
40
80
100
I
F
= 20mA
λ
P
— Ta
1000
980
960
940
920
900
Ambient temperature Ta (C )
I
F
= 20mA
P
λ
P
– 40
0
40
80
120
Spectral characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
900
940
980
1020
1060
1100
0
860
I
= 20mA
Ta = 25C
θ
Direction light
distribution characteristics
0
180
30
30
60
60
150
150
120
120
90
90
30
40
90
80
70
60
50
40
30
100
20
90
100
80
70
60
50
20
Relative radiant
intensity (%)
(1)
(2)
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