參數(shù)資料
型號： LM5110
廠商： National Semiconductor Corporation
英文描述： Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability
中文描述： 復合雙5A條具有負輸出電壓能力柵極驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大小： 269K
代理商： LM5110
Thermal Performance
(Continued)
S
(on) of the LM5110 output at T
J
(max) is 2.5
, this equation
yields I
SINK
(max) of 391mA which is much smaller than 5A
peak pulsed currents.
Similarly, the maximum continuous source current can be
calculated as
where V
DIODE
is the voltage drop across hybrid output stage
which varies over temperature and can be assumed to be
about 1.1V at T
J
(max) of 125C. Assuming the same param-
eters as above, this equation yields I
SOURCE
(max) of 347mA.
L
www.national.com
11
相關PDF資料
PDF描述
LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
LM5111-1M Dual 5A Compound Gate Driver
LM5111-1MX Dual 5A Compound Gate Driver
LM5111-2M Dual 5A Compound Gate Driver
LM5111-2MX Dual 5A Compound Gate Driver
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參數(shù)描述
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LM5110-1M/NOPB 功能描述:功率驅(qū)動器IC Dual Low-Side Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
LM5110-1MX 功能描述:功率驅(qū)動器IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
LM5110-1MX/NOPB 功能描述:功率驅(qū)動器IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
LM5110-1MX/S7002316 制造商:Texas Instruments 功能描述:
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