參數(shù)資料
型號(hào)： LLE18040X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： LLE18040X
1999 Apr 22
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE18040X
Fig.6 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V; f = 1850 MHz.
handbook, halfpage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2
0
4
MBD752
PL
(W)
ICQ
40 mA
10 mA
3 mA
Pi
Fig.7
Intermodulation distortion as a function
of average output power.
V
CE
= 24 V; f
1
= 1850 MHz; f
2
= 1850.2 MHz.
handbook, halfpage
MBD753
(dBc)
0
1
2
4
20
45
25
3
30
35
40
3 mA
ICQ
10 mA
40 mA
Po (av)
Input and optimum load impedances.
V
CE
= 24 V; I
CQ
= 40 mA (see Figs 8 and 9); typical values at P
L
= P
L1
.
f
(GHz)
Z
i
(
)
Z
L
(
)
1.70
1.75
1.80
1.85
1.90
1.95
2.00
13.0 + j17.5
15.5 + j17.8
18.6 + j17.6
22.1 + j16.5
25.7 + j14.0
28.5 + j10.0
29.8 + j4.9
5.2 + j6.4
5.0 + j6.0
4.8 + j5.5
4.7 + j5.1
4.5 + j4.6
4.4 + j4.2
4.3 + j3.8
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