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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LLDB3 |
| 廠商： | 美麗微半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | DIAC |
| 中文描述： | 移民部 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | LLDB3 |
Formosa MS
LLDB3
Formosa MS
2
Electrical Characteristics
(T
j
=25
unless otherwise specified)
Parameter
Breakover voltage*
Symbol
V
BO
Test Conditions
Value
28
Unit
V
MIN.
TYP.
MAX.
32
36
C=22nF**
Breakover voltage symmetry
Dynamic breakover voltage*
Output voltage*
Breakover current*
Rise time*
Leakage current*
|V
BO1
-V
BO2
|
V
V
O
I
BO
tr
I
R
C=22nF**
V
BO
and V
F
at 10mA
see diagram 2(R=20
O
)
C=22nF**
see diagram 3
V
R
=0.5V
BO
max
MAX.
MIN.
MIN.
MAX.
MAX.
MAX.
±
3
5
5
50
2
10
V
V
V
μ
A
μ
s
μ
A
*Applicable to both forward and reverse directions.
**Connected in parallel to the device.
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PDF描述 |
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