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參數(shù)資料
| 型號： | LH5164AH |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | CMOS 64K (8K x 8) Static RAM |
| 中文描述： | 的CMOS 64K的（8K的× 8）靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | LH5164AH |
CAPACITANCE
1
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Input capacitance
Input/output capacitance
C
IN
C
I/O
V
IN
= 0 V
V
I/O
= 0 V
7
pF
pF
10
NOTE:
1.
This parameter is sampled and not production tested.
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
1
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
NOTE
Data retention voltage
V
CCDR
CE
2
≤
0.2 V or
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
2.0
5.5
V
2
Data retention current
I
CCDR
V
CCDR
= 3 V,
CE
2
≤
0.2 V or
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
T
A
=
25
°
C
T
A
=
40
°
C
0.2
μ
A
2, 3
0.4
μ
A
2, 3
0.6
μ
A
2, 3
V
CCDR
= 3 V,
CE
2
≤
0.2 V or
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
T
A
=
25
°
C
T
A
=
70
°
C
0.2
μ
A
2, 4
0.6
μ
A
2, 4
1.5
μ
A
ns
ns
2, 4
Chip disable to data retention
Recovery time
t
CDR
t
R
0
t
RC
5
NOTES:
1.
T
A
= -10 to +70
°
C (LH5164A/AD/AN/AT), T
A
= -40 to +85
°
C (LH5164AH/AHD/AHN/AHT)
2.
CE
2
should be
≥
V
CCDR
- 0.2 V or
≤
0.2 V when CE
1
≥
V
CCDR
– 0.2 V
3.
LH5164A/AD/AN/AT
4.
LH5164AH/AHD/AHN/AHT
5.
t
RC
= Read cycle time
CMOS 64K (8K
×
8) Static RAM
LH5164A/AH
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH5168 | CMOS 64K (8LX8) STATIC RAM |
| LH5168-10L | CMOS 64K (8LX8) STATIC RAM |
| LH5168TR-10L | CMOS 64K (8LX8) STATIC RAM |
| LH5168TR-80L | CMOS 64K (8LX8) STATIC RAM |
| LH5168D-10L | CMOS 64K (8LX8) STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| LH5164AHD-80L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| LH5164AHN-10L | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 100NS 28SOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
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