參數(shù)資料
型號(hào)： LH5116HN-10
廠商： Sharp Corporation
英文描述： CMOS 16K (2K x 8) Static RAM
中文描述： 的CMOS 16K的（2K × 8）靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 87K
代理商： LH5116HN-10
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
V
CC
V
IN
RATING
-0.3 to +7.0
-0.3 to V
CC
+ 0.3
0 to +70
-40 to +85
-55 to +150
UNIT
V
V
NOTE
1
1
2
3
Supply voltage
Input voltage
Operating temperature
Topr
°
C
Storage temperature
Tstg
°
C
NOTES:
1.
The maximum applicable voltage on any pin with respect to GND.
2.
Applied to the LH5116/D/NA
3.
Applied to the LH5116H/HD/HN
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
1
PARAMETER
Supply voltage
SYMBOL
V
CC
V
IH
V
IL
MIN.
4.5
2.2
-0.3
TYP.
5.0
MAX.
5.5
V
CC
+ 0.3
0.8
UNIT
V
V
V
Input voltage
NOTE:
1.
T
A
= 0 to 70
°
C (LH5116/D/NA), T
A
= -40 to +85
°
C (LH5116H/HD/HN)
DC CHARACTERISTICS
1
(V
CC
= 5 V
±
10%)
PARAMETER
Output ‘LOW’ voltage
Output ‘HIGH’ voltage
Input leakage current
Output leakage current
SYMBOL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
CONDITIONS
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
= -1.0
mA
V
IN
= 0 V to V
CC
CE = V
IH
, V
I/O
= 0 V to V
CC
Outputs open (OE = V
CC
)
Outputs open (OE = V
IH
)
CE
≥
V
CC
- 0.2 V
All other input pins = 0 V to V
CC
MIN.
TYP.
MAX.
0.4
UNIT
V
V
μ
A
μ
A
mA
mA
NOTE
2.4
-1.0
-1.0
1.0
1.0
30
40
1.0
0.2
Operating current
25
30
2
3
Standby current
I
SB
μ
A
4
NOTES:
1.
T
A
= 0 to 70
°
C (LH5116/D/NA), T
A
= -40 to +85
°
C (LH5116H/HD/HN)
2.
CE = 0 V; all other input pins = 0 V to V
CC
3.
CE = V
IL
; all other input pins = V
IL
to V
IH
4.
T
A
= 25
°
C
AC CHARACTERISTICS
1
(1) READ CYCLE (V
CC
= 5 V
±
10%)
PARAMETER
SYMBOL
t
RC
t
AA
t
ACE
t
CLZ
t
OE
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
MIN.
100
TYP.
MAX.
UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE
Read cycle time
Address access time
Chip enable access time
Chip enable Low to output in Low-Z
Output enable access time
Output enable Low to output in Low-Z
Chip disable to output in High-Z
Output disable to output in High-Z
Output hold time
100
100
10
2
40
10
0
0
10
2
2
2
40
40
NOTES:
1.
T
A
= 0 to 70
°
C (LH5116/NA/D). T
A
= -40 to 85
°
C (LH5116H/HD/HN).
2.
Active output to high-impedance and high-impedance to output active tests specified for a
±
200 mV transition
from steady state levels into the test load.
CMOS 16K (2K
×
8) Static RAM
LH5116/H
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH5116 CMOS 16K (2K x 8) Static RAM
LH5116H CMOS 16K (2K x 8) Static RAM
LH5116N-10 CMOS 16K (2K x 8) Static RAM
LH5116S CMOS 16K (2K x 8) Static RAM
LH51256L CMOS 256K (32K X 8) STATIC RAM
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參數(shù)描述
LH5116N-10 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:CMOS 16K (2K x 8) Static RAM
LH5116NA-10 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 24SOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
LH5116NA-10F 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 24SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
LH5116NA-10FTP 制造商:Sharp Microelectronics 功能描述:5V SRAM
LH5116S 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:CMOS 16K (2K x 8) Static RAM
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