參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F800SGR-L10
英文描述： x16 Flash EEPROM
中文描述： x16閃存EEPROM
文件頁(yè)數(shù)： 40/56頁(yè)
文件大小： 373K
代理商： LH28F800SGR-L10
LH28F160S5-L/S5H-L
- 40 -
SYMBOL
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
PHQV
t
GLQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
PARAMETER
NOTE
MIN.
70
MAX.
MIN.
90
MAX.
MIN.
100
MAX.
Read Cycle Time
Address to Output Delay
CE# to Output Delay
RP# High to Output Delay
OE# to Output Delay
CE# to Output in Low Z
CE# High to Output in High Z
OE# to Output in Low Z
OE# High to Output in High Z
Output Hold from Address,
CE# or OE# Change,
Whichever Occurs First
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
400
30
90
90
400
35
100
100
400
40
2
2
3
3
3
3
0
0
0
25
30
35
0
0
0
10
10
15
t
OH
3
0
0
0
ns
t
FLQV
t
FHQV
t
FLQZ
t
ELFL
t
ELFH
NOTES :
1.
See AC Input/Output Reference Waveform (
Fig. 12
and
Fig. 13
) for maximum allowable input slew rate.
2.
OE# may be delayed up to t
ELQV
-t
GLQV
after the falling
edge of CE# without impact on t
ELQV
.
3.
Sampled, not 100% tested.
4.
See
Fig. 12
"
Transient Input/Output Reference
Waveform
" and
Fig. 14
"
Transient Equivalent Testing
Load Circuit
" (High Speed Configuration) for testing
characteristics.
BYTE# to Output Delay
3
70
90
100
ns
BYTE# to Output in High Z
CE# Low to BYTE#
High or Low
3
25
30
30
ns
3
5
5
5
ns
VERSIONS
V
CC
±0.25 V
V
CC
±0.5 V
(NOTE 4)
LH28F160S5H-L70
(NOTE 5)
LH28F160S5H-L10
(NOTE 5)
LH28F160S5H-L70
UNIT
V
CC
= 5.0±0.25 V, 5.0±0.5V, T
A
= –40 to +85°C
5.
See
Fig. 13
"
Transient Input/Output Reference
Waveform
" and
Fig. 14
"
Transient Equivalent Testing
Load Circuit
" (Standard Configuration) for testing
characteristics.
6.2.4 AC CHARACTERISTICS - READ-ONLY OPERATIONS (contd.)
(NOTE1)
[LH28F160S5H-L]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F800SGR-L100 x16 Flash EEPROM
LH28F800SGR-L70 x16 Flash EEPROM
LH28F800SUR-10 x8/x16 Flash EEPROM
LH28F800SUR-70 x8/x16 Flash EEPROM
LH28F800SUT-10 x8/x16 Flash EEPROM
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參數(shù)描述
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LH28F800SUR-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
LH28F800SUR-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
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