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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F800SGB-L100 |
| 英文描述： | x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 48/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 373K |
| 代理商： | LH28F800SGB-L100 |
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LH28F160S5-L/S5H-L
- 48 -
(NOTE 1)
(NOTE 2)
(NOTE 3)
(NOTE 4)
(NOTE 5)
(NOTE 6)
V
IL
V
IH
High Z
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
PPLK
V
PPH1
V
IH
V
IL
ADDRESSES (A)
WE# (W)
OE# (G)
CE# (E)
DATA (D/Q)
RP# (P)
V
PP
(V)
STS (R)
WP# (S)
V
IL
V
IH
A
IN
A
IN
t
AVAV
t
AVEH
t
WLEL
t
EHWH
t
EHGL
t
EHEL
t
EHQV1/2/3/4
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
Valid
SRD
t
PHEL
t
EHRL
t
VPEH
t
QVVL
D
IN
D
IN
High Z
D
IN
t
SHEH
t
QVSL
t
EHAX
Fig. 18 AC Waveform for CE#-Controlled Write Operations
NOTES :
1.
V
CC
power-up and standby.
2.
Write erase or write setup.
3.
Write erase confirm or valid address and data.
4.
Automated erase or program delay.
5.
Read status register data.
6.
Write Read Array command.
7.
CE# is defined as the latter of CE
0
# and CE
1
# going Low or the first of CE
0
# or CE
1
# going High.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F800SGB-L70 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGE-L10 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGE-L100 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGE-L70 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGHB-L10 | x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F800SGB-L70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGE-L10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGE-L100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGE-L70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGHB-L10 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述: 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:512K X 16 FLASH 3.3V PROM, 100 ns, PBGA48 |
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