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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F160S3R-L10 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 47/56頁 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | LH28F160S3R-L10 |
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SYMBOL
t
AVAV
PARAMETER
NOTE
MIN.
70
MAX.
MIN.
90
MAX.
MIN.
100
MAX.
Write Cycle Time
RP# High Recovery to CE#
Going Low
WE# Setup to CE# Going Low
CE# Pulse Width
WP# V
IH
Setup to CE# Going High
V
PP
Setup to CE# Going High
Address Setup to CE# Going High
Data Setup to CE# Going High
Data Hold from CE# High
Address Hold from CE# High
WE# Hold from CE# High
CE# Pulse Width High
CE# High to STS Going Low
Write Recovery before Read
V
PP
Hold from Valid SRD,
STS High Z
WP# V
IH
Hold from Valid SRD,
STS High Z
NOTES :
1.
In systems where CE# defines the write pulse width
(within a longer WE# timing waveform), all setup, hold
and inactive WE# times should be measured relative to
the CE# waveform.
2.
Sampled, not 100% tested.
3.
Refer to
Table 3
for valid A
IN
and D
IN
for block erase,
full chip erase, (multi) word/byte write or block lock-bit
configuration.
4.
V
PP
should be held at V
PPH1
until determination of block
erase, full chip erase, (multi) word/byte write or block
lock-bit configuration success (SR.1/3/4/5 = 0).
ns
t
PHEL
2
1
1
1
μs
t
WLEL
t
ELEH
t
SHEH
t
VPEH
t
AVEH
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
EHWH
t
EHEL
t
EHRL
t
EHGL
0
50
100
100
40
40
5
5
0
25
0
50
100
100
40
40
5
5
0
25
0
50
100
100
40
40
5
5
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
2
3
3
90
90
90
0
0
0
t
QVVL
2, 4
0
0
0
ns
t
QVSL
2, 4
0
0
0
ns
LH28F160S5-L/S5H-L
- 47 -
V
CC
= 5.0±0.25 V, 5.0±0.5 V, T
A
=
–
40 to +85°C
5.
See
Fig. 12
"
Transient Input/Output Reference
Waveform
" and
Fig. 14
"
Transient Equivalent Testing
Load Circuit
" (High Speed Configuration) for testing
characteristics.
See
Fig. 13
"
Transient Input/Output Reference
Waveform
" and
Fig. 14
"
Transient Equivalent Testing
Load Circuit
" (Standard Configuration) for testing
characteristics.
6.
VERSIONS
V
CC
±0.25 V
V
CC
±0.5 V
(NOTE 5)
LH28F160S5H-L70
(NOTE 6)
LH28F160S5H-L10
(NOTE 6)
LH28F160S5H-L70
UNIT
6.2.6 ALTERNATIVE CE#-CONTROLLED WRITES (contd.)
(NOTE 1)
[LH28F160S5H-L]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F160S3R-L13 | EEPROM|FLASH|1MX16/2MX8|CMOS|TSSOP|56PIN|PLASTIC |
| LH28F320BFHE-PBTL70 | Flash ROM |
| LH28F320BFHE-PBTLZA | Flash ROM |
| LH28F320BFHE-PTTL60 | Flash ROM |
| LH28F320BFHE-PTTL70 | Flash ROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F160S3R-L13 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|1MX16/2MX8|CMOS|TSSOP|56PIN|PLASTIC |
| LH28F160S3T-L10 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:Flash Memory 16M (2MB 】 8/1MB 】 16) |
| LH28F160S3T-L10A | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 100NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| LH28F160S3T-L13 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F160S5 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16-MBIT(2MBx8/MBx16)Smart 5 Flash MEMORY |
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