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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F020SU-N |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 2M (256K 】 8) Flash Memory |
| 中文描述： | 200萬（256K】8）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 26/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 245K |
| 代理商： | LH28F020SU-N |
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LH28F020SU-L
2M (256K × 8) Flash Memory
26
Figure 18. AC Waveforms for Command Write Operations
ADDRESSES (A)
(NOTE 1)
V
IH
V
IL
A
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
OUT
CE (E)
V
IH
V
IL
OE (G)
V
IH
V
IL
WE (W)
V
IH
V
IL
DATA (D/Q)
V
IH
V
IL
t
AVAV
t
WHGL
t
WHWL
t
WLWH
t
DVWH
t
QVVL
t
AVWH
t
WHAX
t
ELWL
t
WHEH
t
WHQV 1, 2
t
GHWL
t
WHDX
t
VPWH
28F020SUL15-17
(NOTE 2)
HIGH-Z
WRITE DATA-WRITE
OR ERASE
SETUP COMMAND
WRITE VALID
ADDRESS AND DATA
(DATA-WRITE) OR
ERASE CONFIRM
COMMAND
AUTOMATED
DATA-WRITE
OR ERASE
DELAY
NOTES:
1. This address string depicts Data-Write/Erase cycles with corresponding verification via CSRD.
2. This cycle is invalid when using CSRD for verification during Data-Write/Erase operations.
V
PP
(V)
V
PPH
V
PPL
READ
COMPATIBLE
STATUS
REGISTER DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F040SUTD-Z4 | 4M (512K 】 8) Flash Memory |
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| LH28F160BJE-TTL70 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
| LH28F160BJHE-BTL70 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F020SUN-L12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| LH28F032SUTD-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM Module |
| LH28F040SUTD-Z4 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512K 】 8) Flash Memory |
| LH28F0I6SCT-L95 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述: |
| LH28F128BFHT-PBTL75A | 功能描述:閃存 128Mb (x16)3V OTP Single Supply RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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