參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F016SCN-L95
英文描述： EEPROM|FLASH|2MX8|CMOS|SOP|44PIN|PLASTIC
中文描述： 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 2MX8 |的CMOS |?？苵 44PIN |塑料
文件頁(yè)數(shù)： 16/56頁(yè)
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代理商： LH28F016SCN-L95
LH28F160S5-L/S5H-L
4.5.4 DEVICE GEOMETRY DEFINITION
This field provides critical details of the flash device geometry.
Table 9 Device Geometry Definition
OFFSET
LENGTH
DESCRIPTION
(Word Address)
27H
01H
Device Size
15H (15H = 21, 2
21
= 2 097 152 = 2 M Bytes)
Flash Device Interface Description
02H, 00H (x8/x16 supports x8 and x16 via BYTE#)
Maximum Number of Bytes in Multi Word/Byte Write
05H, 00H (2
5
= 32 Bytes )
Number of Erase Block Regions within Device
01H (symmetrically blocked)
The Number of Erase Blocks
1FH, 00H (1FH = 31
31 + 1 = 32 Blocks)
The Number of "256 Bytes" cluster in a Erase Block
00H, 01H (0100H = 256
256 Bytes x 256 = 64k Bytes in a Erase Block)
28H, 29H
02H
2AH, 2BH
02H
2CH
01H
2DH, 2EH
02H
2FH, 30H
02H
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