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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH28F016SCHB-L120 |
| 元件分類： | EEPROM |
| 英文描述： | EEPROM |
| 中文描述： | EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 48/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 373K |
| 代理商： | LH28F016SCHB-L120 |
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LH28F160S5-L/S5H-L
- 48 -
(NOTE 1)
(NOTE 2)
(NOTE 3)
(NOTE 4)
(NOTE 5)
(NOTE 6)
V
IL
V
IH
High Z
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
PPLK
V
PPH1
V
IH
V
IL
ADDRESSES (A)
WE# (W)
OE# (G)
CE# (E)
DATA (D/Q)
RP# (P)
V
PP
(V)
STS (R)
WP# (S)
V
IL
V
IH
A
IN
A
IN
t
AVAV
t
AVEH
t
WLEL
t
EHWH
t
EHGL
t
EHEL
t
EHQV1/2/3/4
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
Valid
SRD
t
PHEL
t
EHRL
t
VPEH
t
QVVL
D
IN
D
IN
High Z
D
IN
t
SHEH
t
QVSL
t
EHAX
Fig. 18 AC Waveform for CE#-Controlled Write Operations
NOTES :
1.
V
CC
power-up and standby.
2.
Write erase or write setup.
3.
Write erase confirm or valid address and data.
4.
Automated erase or program delay.
5.
Read status register data.
6.
Write Read Array command.
7.
CE# is defined as the latter of CE
0
# and CE
1
# going Low or the first of CE
0
# or CE
1
# going High.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F016SCHB-L150 | EEPROM |
| LH28F016SCHB-L90 | EEPROM |
| LH28F016SCHN-L12 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F016SCHN-L95 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F016SCHR-L100 | EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F016SCHB-L150 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| LH28F016SCHB-L90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| LH28F016SCHB-L95 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16Mbit Flash Memory |
| LH28F016SCH-L | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16-MBIT(2 MB x 8) SmartVoltage Flash MEMORY |
| LH28F016SCHN-L12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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