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參數資料
| 型號： | LH28F016SANS |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| 中文描述： | 16兆位（1兆位× 16，2兆位× 8） |
| 文件頁數： | 31/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | LH28F016SANS |
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16M (1M × 16, 2M × 8) Flash Memory
LH28F016SU
31
AC Characteristics for CE
- Controlled Command Write Operations
1
T
A
= 0°C to +70°C
SYMBOL
PARAMETER
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V
UNITS
NOTE
TYP.
MIN.
MAX.
t
AVAV
Write Cycle Time
150
ns
t
PHWL
RP
Setup to WE Going Low
480
ns
3
t
VPEH
V
PP
Set up to CE
Going High
100
ns
3
t
WLEL
WE Setup to CE
Going Low
0
ns
t
AVEH
Address Setup to CE
Going High
75
ns
2, 6
t
DVEH
Data Setup to CE
Going High
75
ns
2, 6
t
ELEH
CE
Pulse Width
75
ns
t
EHDX
Data Hold from CE
High
10
ns
2
t
EHAX
Address Hold from CE
High
10
ns
2
t
EHWH
WE Hold from CE
High
10
ns
t
EHEL
CE
Pulse Width High
75
ns
t
GHEL
Read Recovery before Write
0
ns
t
EHRL
CE
High to RY
/BY
Going Low
100
ns
t
RHPL
RP
Hold from Valid Status Register
(CSR, GSR, BSR) Data and RY
/BY
High
0
ns
3
t
PHEL
RP
High Recovery to CE
Going Low
1
μs
t
EHGL
Write Recovery before Read
120
ns
t
QVVL
V
PP
Hold from Valid Status Register
(CSR, GSR, BSR) Data and RY
/BY
High
0
μs
t
EHQV1
t
EHQV2
Duration of Byte Write Operation
12
5
μs
4, 5
Duration of Block Erase Operation
0.3
s
4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F016SC-L | 16 M-bit (2 MB x 8) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F016SCH | 16-MBIT(2 MB x 8) SmartVoltage Flash MEMORY |
| LH28F016SCH-L | 16 M-bit (2 MB x 8) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F016SCHB | 16Mbit Flash Memory |
| LH28F016SCT | Smart voltage 16Mbit Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LH28F016SANS-70 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| LH28F016SAT-100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SAT-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SAT-150 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SAT-70 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
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