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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F016LLT |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 45/56頁 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | LH28F016LLT |
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LH28F160S5-L/S5H-L
- 45 -
(NOTE 1)
(NOTE 2)
(NOTE 3)
(NOTE 4)
(NOTE 5)
(NOTE 6)
V
IL
V
IH
High Z
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
OL
V
IL
V
IH
V
IL
V
PPLK
V
PPH1
V
IH
V
IL
ADDRESSES (A)
CE# (E)
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
RP# (P)
V
PP
(V)
STS (R)
WP# (S)
V
IL
V
IH
A
IN
A
IN
t
AVAV
t
AVWH
t
ELWL
t
WHEH
t
WHGL
t
WHWL
t
WHQV1/2/3/4
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
Valid
SRD
t
PHWL
t
WHRL
t
VPWH
t
QVVL
D
IN
D
IN
High Z
D
IN
t
SHWH
t
QVSL
t
WHAX
NOTES :
1.
V
CC
power-up and standby.
2.
Write erase or write setup.
3.
Write erase confirm or valid address and data.
4.
Automated erase or program delay.
5.
Read status register data.
6.
Write Read Array command.
7.
CE# is defined as the latter of CE
0
# and CE
1
# going Low or the first of CE
0
# or CE
1
# going High.
Fig. 17 AC Waveform for WE#-Controlled Write Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F016SAT-100 | x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SAT-120 | x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SAT-150 | x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SCB-L100 | EEPROM |
| LH28F016SCB-L12 | EEPROM|FLASH|2MX8|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F016SA | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16M (1M 】 16, 2M 】 8) Flash Memory |
| LH28F016SANS | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| LH28F016SANS-70 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:16 Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) |
| LH28F016SAT-100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F016SAT-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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