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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F004SUT-NC80 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 4M (512K 】 8) Flash Memory |
| 中文描述： | 4分（為512k】8）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 28/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | LH28F004SUT-NC80 |
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LH28F004SU-LC
4M (512K × 8) Flash Memory
28
Figure 18. Alternate AC Waveforms for Command Write Operations
ADDRESSES (A)
(NOTE 1)
V
IH
V
IL
A
IN
V
IH
V
IL
A
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
IN
D
OUT
CE (E)
V
IH
V
IL
OE (G)
V
IH
V
IL
WE (W)
V
IH
V
IL
DATA (D/Q)
V
IH
V
IL
RY/BY (R)
V
OH
V
OL
RP (P)
V
IH
V
IL
t
AVAV
t
AVAV
t
EHGL
t
EHEL
t
ELEH
t
DVEH
t
PHEL
t
RHPL
t
QVVL
ADDRESSES (A)
(NOTE 2)
t
AVEH
t
EHAX
t
AVEH
t
EHAX
t
WLEL
t
EHWH
t
EHQV 1, 2
t
GHEL
t
EHDX
t
EHRL
(NOTE 4)
t
VPEH
28F004SUT-LC12-18
(NOTE 3)
HIGH-Z
WRITE
DATA-WRITE
OR ERASE
SETUP COMMAND
DEEP
POWER-DOWN
WRITE VALID
ADDRESS AND DATA
(DATA-WRITE) OR
ERASE CONFIRM
COMMAND
AUTOMATED
DATA-WRITE
OR ERASE
DELAY
NOTES:
1. This address string depicts Data-Write/Erase cycles with corresponding verification via ESRD.
2. This address string depicts Data-Write/Erase cycles with corresponding verification via CSRD.
3. This cycle is invalid when using CSRD for verification during Data-Write/Erase operations.
4. RP low transition is only to show t
RHPL
; not valid for above Read and Write cycles.
V
PP
(V)V
PPH
V
PPL
READ
COMPATIBLE
STATUS
REGISTER DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F008SAR-85 | 8M (1M x8) Flash Memory(8M (1M x8) 閃速存儲器) |
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| LH28F008SA-85 | 8M (1M 】 8) Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LH28F004SU-Z9 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512 】 8) Flash Memory |
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| LH28F008SA | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory |
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