- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄358790 > LH28F004SU-Z1 (Sharp Corporation) 4M (512K 】 8) Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH28F004SU-Z1 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 4M (512K 】 8) Flash Memory |
| 中文描述： | 4分（為512k】8）閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/31頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | LH28F004SU-Z1 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)當(dāng)前第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)
4M (512K × 8) Flash Memory
LH28F004SU-LC
29
Erase and Byte Write Performance
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, T
A
= 0°C to +70°C
NOTES:
1. 25°C, V
PP
= 5.0 V
2. Excludes System-Level Overhead.
3. Depends on the number of protected blocks.
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
(1)
MIN.
MAX.
UNITS
TEST CONDITIONS
NOTE
t
WHRH1
t
WHRH2
t
WHRH3
t
WHRH4
Byte Write Time
20
μs
2
Two-Byte Serial Write Time
30
μs
2
16KB Block Write Time
0.33
1.3
s
Byte Write Mode
2
16KB Block Write Time
0.26
1.0
s
Two-Byte Serial Write Mode
2
Block Erase Time (16KB)
0.8
1.0
s
2
Full Chip Erase Time
12 - 19.2
s
2, 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F004SU-Z9 | 4M (512 】 8) Flash Memory |
| LH28F004SCT-L85 | 4M Flash File Memory |
| LH28F004SCB-L12 | 4Mbit Flash Memory |
| LH28F004SU | 4Mbit(512Kbit x 8, 256 Kbit x 16) 5V Single Voltage Flash Memory |
| LH28F004SUT-NC80 | 4M (512K 】 8) Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F004SU-Z9 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512 】 8) Flash Memory |
| LH28F008BJT-BTLZ1 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 8M-Bit 1M x 8 100ns 40-Pin TSOP |
| LH28F008SA | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory |
| LH28F008SA-12 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:8M (1M 】 8) Flash Memory |
| LH28F008SA-85 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:8M (1M 】 8) Flash Memory |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。