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參數(shù)資料
| 型號： | LED55B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs INFRARED EMITTING DIODE |
| 中文描述： | 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, TO-46, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | LED55B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LED55C | GAAS INFRARED EMITTING DIODE |
| LED56 | GAAS INFRARED EMITTING DIODE |
| LEE-19 | Surface Mount Monolithic Amplifiers |
| LEE-29 | Surface Mount Monolithic Amplifiers |
| LEE-39 | Surface Mount Monolithic Amplifiers |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LED55B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:INFRARED LED |
| LED55B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IR EMITTER TO-46 940NM |
| LED55B_Q | 功能描述:紅外發(fā)射源 5.4mW 1.7V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| LED55BF | 功能描述:紅外發(fā)射源 3.5mW 1.7V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| LED55BF_Q | 功能描述:紅外發(fā)射源 3.5mW 1.7V IR LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
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