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參數(shù)資料
| 型號： | LDTBFW16A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 150MA I(C) | LID |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 25V的五（巴西）總裁| 150毫安一（c）|蓋 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | LDTBFW16A |
Micro-LID Transistors
LDTBFR90 and LDTBFR90T
Electrical Characteristics (25
°
C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Collector-Base Breakdown
Ic = 10 uA, Ie = 0
BVcbo
20
--
--
V
Collector-Emitter Breakdown*
Ib = 0, Ic = 10 mA
BVceo
15
--
--
V
Emitter-Base Breakdown
Ic = 0, Ie = 10 uA
BVebo
2
--
--
V
Collector-Base Cutoff Current
Vcb = 10 V
Icbo
--
--
50
nA
DC Forward Current Gain*
Ic = 14 mA, Vce = 10 V
Hfe
40
--
--
Collector Capacitance
Vcb = 10 V, Ie = 0
f = 1 MHz
Cobo
--
--
1
pF
Gain Bandwidth Product
Ic = 14 mA, Vce = 10 V
f = 500 MHz
fT
-- 5
--
GHz
Noise Figure
NF
--
--
2.4
dB
Ic = 2 mA, Vce = 10 V
f = 500 MHz
* Pulse test, pulse width < 300 usec, duty cycle < 2%
3/3 December 1997
www.microlid.com sales@microlid.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LDTBFW16AT | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 150MA I(C) | LID |
| LDTBFW30 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID |
| LDTBFW30T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID |
| LDTBFY90 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | LID |
| LDTBFY90T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | LID |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LDTBFW16AT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 150MA I(C) | LID |
| LDTBFW30 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID |
| LDTBFW30T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID |
| LDTBFY90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | LID |
| LDTBFY90T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | LID |
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