參數(shù)資料
型號(hào): LDTBFR90T
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | LID
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 15V的五(巴西)總裁| 25mA電流一(c)|蓋
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代理商: LDTBFR90T
Micro-LID Transistors
LDTBFR90 and LDTBFR90T
Electrical Characteristics (25
°
C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Collector-Base Breakdown
Ic = 10 uA, Ie = 0
BVcbo
20
--
--
V
Collector-Emitter Breakdown*
Ib = 0, Ic = 10 mA
BVceo
15
--
--
V
Emitter-Base Breakdown
Ic = 0, Ie = 10 uA
BVebo
2
--
--
V
Collector-Base Cutoff Current
Vcb = 10 V
Icbo
--
--
50
nA
DC Forward Current Gain*
Ic = 14 mA, Vce = 10 V
Hfe
40
--
--
Collector Capacitance
Vcb = 10 V, Ie = 0
f = 1 MHz
Cobo
--
--
1
pF
Gain Bandwidth Product
Ic = 14 mA, Vce = 10 V
f = 500 MHz
fT
-- 5
--
GHz
Noise Figure
NF
--
--
2.4
dB
Ic = 2 mA, Vce = 10 V
f = 500 MHz
* Pulse test, pulse width < 300 usec, duty cycle < 2%
3/3 December 1997
www.microlid.com sales@microlid.com
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PDF描述
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