參數(shù)資料
型號: LDT4209T
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 12V的五(巴西)總裁| 50mA的一(c)|蓋
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代理商: LDT4209T
Micro-LID Transistors
LDT4209 and LDT4209T
Electrical Characteristics (25
°
C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Collector-Base Breakdown
Ic = 100 uA, Ie = 0
BVcbo
15
--
--
V
Collector-Emitter Breakdown*
Ib = 0, Ic = 1 mA
BVceo
12
--
--
V
Emitter-Base Breakdown
Ic = 0, Ie = 10 uA
BVebo
4.5
--
--
V
Collector-Base Cutoff Current
Vcb = 10 V
Icbo
--
--
100
nA
Emitter-Base Cutoff Current
Veb = 3 V
Iebo
--
--
100
nA
DC Forward Current Gain*
Ic = 10 mA, Vce = 1 V
Ic = 50 mA, Vce = 1 V
Hfe
--
--
20
40
--
--
Collector-Emitter Saturation
Ic = 10 mA, Ib = 1 mA
Ic = 50 mA, Vce = 5 mA
Vce (sat)
--
--
--
--
.18
.60
V
V
Base-Emitter Saturation
Ic = 10 mA, Ib = 1 mA
Ic = 50 mA, Vce = 5 mA
Vbe (sat)
--
--
--
--
.95
1.5
V
V
Collector Capacitance
Vcb = 2 V, Ie = 0
f = 1 MHz
Cobo
--
--
3.5
pF
* Pulse test, pulse width < 300 usec, duty cycle < 2%
3/3 January 1997
www.microlid.com sales@microlid.com
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PDF描述
LDT5087 TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | LID
LDT5087T TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | LID
LDT5210 TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | LID
LDT5210T TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | LID
LDT918 TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID
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參數(shù)描述
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LDT565630T-003 功能描述:TRANSFORMER 10.5UH 1.00A PHOTO RoHS:是 類別:變壓器 >> 專用 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電感:- 適用于相關產(chǎn)品:- 尺寸/尺寸:12.50mm L x 9.60mm W 高度 - 座高(最大):7.60mm 安裝類型:表面貼裝 其它名稱:MT7214CT