參數(shù)資料
型號： LDT2369A
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LID
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 15V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|蓋
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 64K
代理商： LDT2369A
Micro-LID Transistors
LDT2369A and LDT2369AT
Electrical Characteristics (25
°
C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Collector-Base Breakdown
Ic = 10 uA, Ie = 0
BVcbo
40
--
--
V
Collector-Emitter Breakdown*
Ib = 0, Ic = 10 mA
BVceo
15
--
--
V
Emitter-Base Breakdown
Ic = 0, Ie = 10 uA
BVebo
4.5
--
--
V
Collector-Base Cutoff Current
Vcb = 20 V
Icbo
--
--
500
nA
DC Forward Current Gain*
Ic = 10 mA, Vce =1 V
Hfe
40
--
120
Collector-Emitter Saturation
Ic = 10 mA, Ib = 1 mA
Vce (sat)
--
--
.3
V
Base-Emitter Saturation
Ic =10 mA, Ib = 1 mA
Vbe (sat)
--
--
.9
V
Collector Capacitance
Vcb = 10 V, Ie = 0
f = 1 MHz
Cobo
--
--
4
pF
* Pulse test, pulse width < 300 usec, duty cycle < 2%
3/3 January 1997
www.microlid.com sales@microlid.com
相關PDF資料
PDF描述
LDT2369AT TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LID
LDT2484 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID
LDT2484T TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID
LDT2857 TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID
LDT2857T TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | LID
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參數(shù)描述
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LDT-300BG 制造商:LASER COMPONENTS 功能描述:CONVERTER CARD UV
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