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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LD271H |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 4.95 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | LD271H |
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
5-mm-LED-Gehuse (T 1
3
/
4
), graugetntes Epoxy-
Gieharz, Ltspiee im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’)
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’)
LD 271
Q62703-Q148
LD 271 L
Q62703-Q833
LD271 H
Q62703-Q256
LD271 HL
Q62703-Q838
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
– 55 ... + 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
Stostrom,
t
p
= 10
μ
s,
D
= 0
Surge current
I
F
130
mA
I
FSM
3.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
220
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
330
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LD271HL | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| LD271L | INFRARD EMITTER |
| LD271LH | INFRARD EMITTER |
| LD273 | TWO CHIP INFRARED EMITTER |
| LD274 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LD271HL | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| LD271L | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,5mm,950nm,LD 271 L |
| LD271LH | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q0838_T1 3/4 (PLASTICS 5MM) 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,5mm,950nm,LD 271 LH |
| LD271L-H-Z | 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 功能描述:LED IrLED 950nm 2-Pin T-1 3/4 |
| LD273 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:TWO CHIP INFRARED EMITTER |
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