參數(shù)資料
型號(hào)： LD242-4
英文描述： Optoelectronic
中文描述： 光電
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 39K
代理商： LD242-4
Semiconductor Group
1
1998-07-15
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
G
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
G
Kathode galvanisch mit Gehuseboden
verbunden
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Groer ffnungskegel
G
Gehusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
G
Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Anwendungen
G
IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
G
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
G
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
G
Cathode is electrically connected to the case
G
High reliability
G
Wide beam
G
Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
G
DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
Applications
G
IR remote control and sound transmission
G
Photointerrupters
LD 242
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
5.5
5.2
GET06625
Chip position
3.6
3.0
14.5
12.5
0.45
2
s
Approx. weight 0.5 g
1
2.7
09
11
11
09
Anode
Cathode (SFH 483)
(LD 242, BPX 63, SFH 464)
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
LD 242-2
Q62703-Q198
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gieharz, linsenfrmig im 2.54-mm-Raster
(
1
/
10
’’)
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
’’)
LD 242-3
Q62703-Q199
LD 242 E7800
Q62703-Q3509
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