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參數(shù)資料
| 型號： | LC801 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強型射頻功率LDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | LC801 |
L2B 1 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L2B 1 DIE CAP ACIT ANCE
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
L C 8 0 1 P i n v s P o u t F r e q = 5 0 0 M H z ,
V d s = 2 8 V d c , I d q = . 2 A
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
P i n i n W a t t s
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
Pout
Gain
Efficiency = 55%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
LC801
L2A 1 DICE IV
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 05/01/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LC821 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| LCAS6-10-L | VI CHIP Evaluation Board |
| LCAS6-10-L-EB | VI CHIP Evaluation Board |
| LCBG10P | Bidirectional 3.3 V I/O Transceiver for SCSI-2, SCSI-3, and SCSI-3 Fast-20 Buses( 3.3 V 雙向I/O收發(fā)器（適用于SCSI-2,SCSI-3,和SCSI-3 Fast-20 總線）) |
| LCE15 | Low Capacitance TransZorb Transient Voltage Suppressor(低電容TransZorb瞬變電壓抑制器器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LC80101M | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:VICS LSI |
| LC8011-21 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| LC8021-21 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| LC8031-21 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| LC8041-21 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
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