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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | L8701P |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率LDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | L8701P |
L1B 1 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L1B 1DIE CAP ACIT ANCE
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
L 8 7 0 1 P P i n v s P o u t F r e q = 5 0 0 M H z ,
V d s = 2 8 V d c , I d q = . 4 A
0
9
1 8
2 7
3 6
4 5
0
0 . 5
1
1 . 5
2
2 . 5
3
P i n i n W a t t s
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
2 0
Pout
Gain
Efficiency @30 watts = 55%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
L8701P
L1B 1 DIE IV
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION
12/12/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L8711P | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L8721P | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L88016 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L8801P | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L8821P | CAP CER 470PF 25V X7R 0201 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| L8703 | 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述: |
| L8708H | 制造商:ZILOG 制造商全稱(chēng):ZILOG 功能描述:IR/Low-Voltage Microcontroller |
| L8711P | 制造商:POLYFET 制造商全稱(chēng):Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| L8712(FECONLY) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IC TUBE FOR TO-220 508MM |
| L871E | 制造商:VERMASON 功能描述:END PLUG TO-220 TUBE |
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