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參數(shù)資料
| 型號： | L800BB90VE |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1 M中的x 8-Bit/512畝x 16位），3.0伏的CMOS只引導扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 39/49頁 |
| 文件大小： | 859K |
| 代理商： | L800BB90VE |
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Am29LV800B
37
AC CHARACTERISTICS
Enter
Embedded
Erasing
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
J EDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21. DQ2 vs. DQ6
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
tVIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
tVIDR
tRSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 3 V
Figure 22. Temporary Sector Unprotect
Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L800BB70VC | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| L800BB70VD | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| L800BB70VF | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| L800BB70VI | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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