- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377597 > L640MT11VF (Advanced Micro Devices, Inc.) 64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit⑩ 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | L640MT11VF |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit⑩ 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（4個(gè)M x 16位/八米× 8位）的MirrorBit⑩3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 836K |
| 代理商： | L640MT11VF |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)當(dāng)前第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)
6
Am29LV640MT/B
26190C8 February1,2007
D A T A S H E E T
PRODUCT SELECTOR GUIDE
Note:
See
AC Characteristics on page 45
for full specifications.
BLOCK DIAGRAM
Part Number
Am29LV640M
Speed
Option
V
CC
= 3.0–3.6 V
90R
100R
110R
120R
V
CC
= 2.7–3.6 V
100
110
120
Max. Access Time (ns)
90
100
110
120
Max. CE# Access Time (ns)
90
100
110
120
Max. Page access time (t
PACC
)
25
30
30
40
30
40
Max. OE# Access Time (ns)
25
30
30
40
30
40
Input/Output
Buffers
X-Decoder
Y-Decoder
Chip Enable
Output Enable
Logic
Erase Voltage
Generator
PGM Voltage
Generator
Timer
V
CC
Detector
State
Control
Command
Register
V
CC
V
SS
WE#
WP#/ACC
BYTE#
CE#
OE#
STB
STB
DQ0
–
DQ15 (A-1)
Sector Switches
RY/BY#
RESET#
Data
Latch
Y-Gating
Cell Matrix
A
A21–A0
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。