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參數(shù)資料
| 型號： | L426 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | IGBT Modules |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 128K |
| 代理商： | L426 |
2004 IXYS All rights reserved
4 - 4
MWI 200-06 A8
4
Fig. 11 Reverse biased safe operating area RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
Fig. 7
Typ. turn on energy
versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy
versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy
versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy
versus gate resistor
0
100
200
300
400
0
4
8
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I
C
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V
CE
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500
I
C
A
A
E
off
E
on
R
G
R
G
t
s
E
on
mJ
E
off
I
CM
K/W
Z
thJC
V
A
mJ
mJ
single pulse
diode
IGBT
MWI200-06A8
R
G
= 1.5
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 1.5
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 1.5
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 200
Α
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 200
Α
T
VJ
= 125°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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