- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377592 > L256ML123RI (Advanced Micro Devices, Inc.) 256 Megabit (16 M x 16-Bit/32 M x 8-Bit) MirrorBitTM 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/OTM Control PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | L256ML123RI |
| 廠(chǎng)商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 256 Megabit (16 M x 16-Bit/32 M x 8-Bit) MirrorBitTM 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/OTM Control |
| 中文描述： | 256兆位（16 M中的x 16-Bit/32 M中的x 8位）MirrorBitTM 3.0伏特，只有統(tǒng)一閃存部門(mén)與VersatileI /價(jià)外控制 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 546K |
| 代理商： | L256ML123RI |
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December 16, 2005
Am29LV256M
31
D A T A S H E E T
Table 8.
Device Geometry Definition
Addresses (x16)
Data
Description
27h
0019h
Device Size = 2
N
byte
28h
29h
0002h
0000h
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
2Ah
2Bh
0005h
0000h
Max. number of byte in multi-byte write = 2
N
(00h = not supported)
2Ch
0001h
Number of Erase Block Regions within device (01h = uniform device, 02h = boot
device)
2Dh
2Eh
2Fh
30h
00FFh
0001h
0000h
0001h
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
31h
32h
33h
34h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 2 Information (refer to CFI publication 100)
35h
36h
37h
38h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 3 Information (refer to CFI publication 100)
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 4 Information (refer to CFI publication 100)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| L272AM | Dual Power Operational Amplifier |
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參數(shù)描述 |
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