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參數(shù)資料
| 型號： | L14G3 |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | HERMETIC, TO-18, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | L14G3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L14N | HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| L14N1 | HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| L14N2 | HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| L14N1 | HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| L14N2 | HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| L14G3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Photo Transistor Package/Case:TO-18 |
| L14G3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR TO-18 |
| L14G3_Q | 功能描述:光電晶體管 12mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| L14LOB | 功能描述:光電晶體管 DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| L14LOI | 功能描述:光電晶體管 DISC BY MFG 3/02 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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