參數(shù)資料
型號(hào)： KST5550
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Voltage Transistor
中文描述： 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 56K
代理商： KST5550
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Base-Emitter On Voltage
Figure 4. Output Capacitance
Figure 5. Current Gain Bandwidth Product
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V
CE
= 5V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
10
100
1000
V
CE
= 5V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
0.1
1
10
100
f = 1MHz
I
E
= 0
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V
CE
= 10V
f
T
[
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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KST55 PLUG, SPEAKON, 8WAY
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參數(shù)描述
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KST5551 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor
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KST5551MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST55MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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