參數(shù)資料
型號: KST3904
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: General Purpose Transistor
中文描述: 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 55K
代理商: KST3904
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, November 2002
K
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Output Capacitance
Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
0.1
1
10
100
0
40
80
120
160
200
240
V
CE
= 1V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
I
C
= 10 I
B
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
0.1
1
10
I
E
= 0
f = 1MHz
C
o
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.1
1
10
100
10
100
1000
V
CE
= 20V
f
T
[
C
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KST3906 General Purpose Transistor
KST4123 General Purpose Transistor
KST4124 General Purpose Transistor
KST4125 General Purpose Transistor
KST4126 General Purpose Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KST3904_11 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
KST3904LGEMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/40V/Hfe 100-250 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST3904MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST3904MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST3904TF 制造商:SAMSG 功能描述: