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參數資料
| 型號： | KSR2103 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PNP (SWITCHING APPLICATION) |
| 中文描述： | 進步黨（切換應用） |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | KSR2103 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSR2103 | Switching Application |
| KSR2104 | PNP (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR2105 | PNP (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR2106 | PNP (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR2107 | PNP (SWITCHING APPLICATION) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSR2103MTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-23 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| KSR2104 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching Application (Bias Resistor Built In) |
| KSR2104AMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSR2104MTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SOT-23 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| KSR2105 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:PNP (SWITCHING APPLICATION) |
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